삼성전자가 상반기 3나노 양산을 시작한다.

세계 최초로 파운드리 3나노 공정 양산을 계획대로 추진한다. 유럽 출장을 다녀온 이재용 부회장이 기술을 강조한 이후 초격차 기술에 한층 탄력이 붙는 모습이다.

22일 삼성전자는 상반기 중 3나노 양산을 시작한다는 기존 계획을 재확인했다. 이달 내 양산 시작을 공식화한 것이다.

이에 따라 삼성전자는 세계 최초로 3나노 양산에 돌입하며, 파운드리 업계 1위 TSMC보다 초미세 공정 도입 계획에서 한발 앞서나가게 됐다. TSMC의 3나노 반도체 양산 계획은 오는 하반기다.

이번 3나노 양산을 통해 차세대 공정 기술인 GAA를 처음 적용한다. GAA는 반도체 트랜지스터를 개선해 접촉 면적을 4개 면으로 확대한 것이다. 전력 효율을 개선해 반도체 성능을 높일 수 있다. TSMC의 경우 오는 2025년 2나노 공정에서 GAA를 도입할 예정이다.

삼성전자는 지난달 20일 조 바이든 미국 대통령의 방한 당시 한미 양 정상에게 3나노 반도체 시제품을 공개하며 주목받았다.

바이든 대통령은 방한 첫 일정으로 삼성전자 평택공장을 방문했으며 이 부회장이 직접 안내했다. 이 부회장은 바이든 대통령과 윤석열 대통령에게 3나노 반도체 시제품을 소개했다. 양 정상은 해당 시제품에 사인을 남기기도 했다.

글로벌 주요 임원들이 모이는 상반기 전략협의회도 4년 만에 부활했다. 스마트폰·TV·가전 등 완제품을 담당하는 디바이스 경험 부문은 21일부터 23일까지, 반도체를 총괄하는 디바이스 솔루션 부문은 오는 27~29일 회의를 진행한다.