삼성전자와 IBM이 기존 반도체와 비교해 성능은 2배, 전력 사용량을 85%까지 줄일 수 있는 새 반도체 기술을 발표했다.

삼성전자가 IBM의 서버용 5나노미터 선폭 칩을 생산한다는 계획도 공개했다.

15일 삼성전자와 IBM은 수직 트랜지스터 구조를 활용한 새 반도체 디자인 수직 전송 전계효과트랜지스터(VTFET)를 공개했다. VTFET는 칩 표면에 수직으로 트랜지스터를 쌓아 수직이나 상하로 전류를 흐르게 하는 기술이다.

기존 트랜지스터는 전류가 측면이나 좌우로만 흐를 수 있어 반도체 표면에 수평으로만 집적시켜야 했다. 상하로도 전류가 흐를 수 있게 되면서 한정된 면적에 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있게 된다.

VTFET 기술은 IBM과 삼성전자가 뉴욕 올버니 나노테크 연구단지에서 공동 연구를 통해 개발했다.

IBM은 “VTFET 기술은 새 차원에 초점을 맞추고 있어 무어의 법칙을 지속할 수 있는 방법을 제시한다”고 밝혔다.